Samsung will Speicher direkt auf den KI-Chip stapeln

Samsung hat am 4. August auf der FMS 2026 in Santa Clara rund 30 Speicher- und Storage-Technologien gezeigt. Die Schlagzeile macht davon eine: zHBM stapelt HBM vertikal direkt über dem KI-Beschleuniger, statt daneben.

Die Angaben dazu: rund achtfache Leistung von HBM5, über zehnfache Speicherdichte, dreifache Energieeffizienz, mehr als 50 Prozent geringerer Wärmewiderstand. Alle vier Werte stehen unter demselben Vorbehalt. zHBM ist ein Konzeptmodell ohne Liefertermin, und HBM5 ist selbst noch nicht am Markt.

Handfester ist die NAND-Roadmap. Die zehnte Generation V10 BV-NAND kommt auf über 400 Layer und verbindet zwei Scheiben per Wafer-Bonding, laut Samsung eine Branchenpremiere. Die Speicherdichte liegt rund 58 Prozent über der V9-Generation.

V-NAND startete 2013. Für zehn Generationen hat Samsung damit dreizehn Jahre gebraucht.

Ebenfalls Konzeptmodell ist zNAND-O, ein NAND für Edge-KI in Vier- und Acht-Lagen-Ausführungen. Ausgelegt ist es auf Platzersparnis, I/O-Leistung und niedrigere Latenz, also auf Geräte, die außerhalb des Rechenzentrums in Echtzeit rechnen.

In Serie ist anderes. HBM4E läuft seit Mai 2026 in Massenfertigung, HBM5 wurde demonstriert, LPDDR5X-PIM ist nach Samsungs Angaben der erste LPDDR-Speicher mit Processing-in-Memory, und die PCIe-Gen6-SSD PM1763 liest mit 28,4 Gigabyte pro Sekunde, seit Juli in Massenfertigung.

Auf derselben Messe zeigten Kioxia und SanDisk am selben Tag QLC-NAND mit 332 aktiven Lagen und über 37 Gigabit pro Quadratmillimeter, nach eigenen Angaben der Bestwert bei der Bitdichte.

Bei dem, was tatsächlich ausgeliefert wird, ist der Abstand also knapper, als die Konzeptzahlen nahelegen. SK hynix hat gerade erst die Massenlieferung von HBM4 gestartet, und was im Speichergeschäft derzeit zu verdienen ist, zeigte Samsungs Rekordquartal. Wann V10 in Serie geht, sagt Samsung nicht.