Kioxia und SanDisk kündigen QLC-Flash mit 2 Terabit pro Chip an

Kioxia und SanDisk haben am 12. August 2026 eine neue Generation ihres gemeinsam entwickelten QLC-3D-Flash angekündigt: 2 Terabit pro Chip, ausgelegt auf KI-Rechenzentren. Es ist die 9. Generation der Reihe.

Das Interface zum NAND-Speicher läuft mit 4,8 Gbit/s. Das sind 33 Prozent mehr als bei der 8. Generation.

Dazu kommt ein Sechs-Ebenen-Design. Der Baustein ist intern in sechs Ebenen geteilt, die parallel arbeiten, was Schreib- und Lesebandbreite anhebt. Die beiden Hersteller geben außerdem eine bessere Energieeffizienz pro Bit an.

Technische Basis bleibt die CBA-Architektur (CMOS directly Bonded to Array). Der Wafer mit der Steuerlogik entsteht getrennt vom Speicher-Array, beide werden erst danach miteinander verbunden.

Wer die Meldungen der vergangenen Woche mitgelesen hat, muss hier aufpassen: Das ist nicht die Ankündigung vom 4. August. Damals ging es um eine 10.-Generation-Technologie mit über 37 Gbit/mm² Bitdichte, also darum, wie viele Daten auf eine bestimmte Chipfläche passen. Diesmal geht es um Tempo und Parallelität.

Kurios ist die Reihenfolge. Die höhere Generationsnummer kam zuerst, die niedrigere acht Tage später.

Auffällig ist vor allem die Zielrichtung. Hier wird Flash-Speicher für KI-Rechenzentren optimiert, während der Engpass der Branche seit Monaten beim Arbeitsspeicher sitzt.